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掃描電鏡的分辨率受哪些因素影響1.傾斜角效影響圖像因素由于二次電子的發(fā)射是入射電子碰撞樣品的海外電子，使原子外層受激發(fā)而電離出來(lái)的電子，且電子在逸出樣品表面之前又和樣品進(jìn)行多次散射，所以只要在樣品淺層幾納米到幾十納米組偶偶深度區(qū)域產(chǎn)生的二次電子才能逸出表面，被探測(cè)器收集到。因此電子束的入射角將影響二次電子圖像的反差。2.邊緣效應(yīng)在樣品邊緣和較短部位攝入一次電子時(shí)。由于尖端和邊緣的二次電子容易脫離樣品，所以產(chǎn)生二次電子數(shù)量多，圖像異常明亮，稱(chēng)為邊緣效應(yīng)。邊緣效應(yīng)造成反差不自然，...

掃描電子顯微鏡的制造是依據(jù)電子與物質(zhì)的相互作用。當(dāng)一束高能的入射電子轟擊物質(zhì)表面時(shí)，被激發(fā)的區(qū)域?qū)a(chǎn)生二次電子、俄歇電子、特征x射線(xiàn)和連續(xù)譜X射線(xiàn)、背散射電子、透射電子，以及在可見(jiàn)、紫外、紅外光區(qū)域產(chǎn)生的電磁輻射。同時(shí)，也可產(chǎn)生電子-空穴對(duì)、晶格振動(dòng)(聲子)、電子振蕩(等離子體)。SEM主要性能參數(shù)分辨率對(duì)微區(qū)成分分析而言，分辨率指能分析的最小區(qū)域；對(duì)成像而言，它是指能分辨兩點(diǎn)間的最小距離。SEM分辨率主要受三方面影響：入射電子束束斑直徑、入射電子束在樣品中的擴(kuò)展效應(yīng)、成像方...

目前，X波段脈沖式電子順磁共振波譜儀已在多個(gè)領(lǐng)域得到應(yīng)用，科學(xué)領(lǐng)域中環(huán)境監(jiān)測(cè)，如大氣污染、高級(jí)氧化法污水處理自由基機(jī)理研究、過(guò)渡金屬重金屬、環(huán)境持久性自由基等，以及在生物醫(yī)療、化學(xué)領(lǐng)域、工業(yè)領(lǐng)域、材料物理、食品行業(yè)中都有廣泛的應(yīng)用。電子順磁共振(ElectronParamagneticResonance，EPR)波譜技術(shù)是一種研究含有未成對(duì)電子物質(zhì)的結(jié)構(gòu)，動(dòng)力學(xué)以及空間分布的譜學(xué)方法，能夠提供原位和無(wú)損的電子自旋、軌道和原子核等微觀尺度的信息。當(dāng)含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于靜磁場(chǎng)...

國(guó)產(chǎn)掃描電鏡的成像中襯度是什么？今天小編和大家分享的是國(guó)產(chǎn)掃描電鏡的成像中襯度是什么，具體內(nèi)容如下：首先要知道形成掃描透射像的原理：電子束與薄樣品在國(guó)產(chǎn)掃描電鏡中相互作用時(shí)，會(huì)有部分電子透過(guò)樣品，這部分透射電子也可用來(lái)成像，其形成的像就是STEM像即掃描透射像。與透射電鏡相似的是，國(guó)產(chǎn)掃描電鏡的STEM圖像也被分為明場(chǎng)像和暗場(chǎng)像兩種。明場(chǎng)像的探測(cè)器安裝在國(guó)產(chǎn)掃描電鏡樣品的正下方，當(dāng)入射電子束穿過(guò)樣品后，散射角度較小的電子經(jīng)過(guò)光闌孔選擇后進(jìn)入明場(chǎng)探測(cè)器形成透射明場(chǎng)像，散射角比較...

高溫高壓吸附儀帶你了解物理吸附和化學(xué)吸附的區(qū)別根據(jù)吸附劑表面與被吸附物之間作用力的不同，吸附可分為物理吸附與化學(xué)吸附。物理吸附是被吸附的流體分子與固體表面分子間的作用力為分子間吸引力，即所謂的范德華力(Vanderwaals)。因此，物理吸附又稱(chēng)范德華吸附，它是一種可逆過(guò)程。當(dāng)固體表面分子與氣體或液體分子間的引力大于氣體或液體內(nèi)部分子間的引力時(shí)，氣體或液體的分子就被吸附在固體表面上。從分子運(yùn)動(dòng)觀點(diǎn)來(lái)看，這些吸附在固體表面的分子由于分子運(yùn)動(dòng)，也會(huì)從固體表面脫離而進(jìn)入氣體(或液體...